GaN ¼ÒÀÚ/°øÁ¤°³¹ß
                - ¹ÝµµÃ¼ ´ë±â¾÷

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø
GaN ¼ÒÀÚ/
°øÁ¤°³¹ß

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýGaN 650V¿ë GaN Epi Wafer °øÁ¤°³¹ß

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

¤ýGaN¿ë MOCVD Hardware/Software °æÇèÀÚ

¤ýGaN Epi ±¸Á¶¼³°è °æÇèÀÚ

¤ýGaN Epi quality ºÐ¼® °æÇèÀÚ



[¿ì´ë»çÇ×]

¤ý¡°GaN on Si¡± process integration & characterization

   °æÇèÀÚ 

¤ýGaN Epi Wafer °³¹ß À§ÇÑ PL, XRD, Hall Data ºÐ¼®
   °æÇèÀÚ


[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ : Á¤±ÔÁ÷

¤ý±Ù¹«Áö : ÃæºÏ(À½¼º)/ ±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼ö ÇϽźи¸. 

¤ý¹®ÀÇ: 010-7565/ ******@*******.*** 


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ȸ»ç³»±Ô

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­¿¡ ¿¬¶ôó, Èñ¸Á¿¬ºÀ ±âÀç
    Á¦ÃâÇÑ ¼­·ù´Â ÀÏü ¹ÝȯÇÏÁö ¾ÊÀ½
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­
    ¼­·ùÀüÇü, ¸éÁ¢ÀüÇü

Á¢¼ö¹æ¹ý

2023-11-01 (¼ö) 23½Ã59ºÐ±îÁö

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.