[»óÀå»ç] ¹ÝµµÃ¼ Device ¼ÒÀÚ °³¹ß (Â÷/ºÎÀå±ÞÀÌ»ó)


¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

´ã´ç¾÷¹«
Àοø

¸ðÁý ºÎ¹® ÅÃ1
 

¡Û SiC ¼ÒÀÚ °³¹ß/Æò°¡


´ã´ç¾÷¹«

- SiC MOSFET ¼ÒÀÚ°³¹ß

- SiC MOSFET ¼ÒÀÚ Æ¯¼º Æò°¡ ¹× ºÐ¼®

- SiC MOSFET ¼ÒÀÚ & package Level Reliability test


ÀÚ°Ý¿ä°Ç

[Çʼö]

- Discrete Device design °æÇè

- Discrete device test & Reliability test °æÇè, Module test °æÇè

- À¯°ü°æ·Â 7³â ÀÌ»óÀÚ

[¿ì´ë]

- MOSFET/IGBT °³¹ß °æ·ÂÀÚ (10³â ÀÌ»ó °æ·ÂÀÚ)

- SiC MOSFET °³¹ß/Æò°¡ °æÇèÀÚ


¡Û GaN ¼ÒÀÚ °³¹ß/Æò°¡


´ã´ç¾÷¹«

- GaN HEMT ¼ÒÀÚ°³¹ß

- GaN HEMT ¼ÒÀÚ Æ¯¼º Æò°¡ ¹× ºÐ¼®

- GaN HEMT ¼ÒÀÚ & package Level Reliability test


ÀÚ°Ý¿ä°Ç

[Çʼö]

- Discrete Device design °æÇè

- Discrete device test & Reliability test °æÇè, Module test °æÇè

- À¯°ü°æ·Â 7³â ÀÌ»óÀÚ

[¿ì´ë]

- MOSFET/IGBT °³¹ß °æ·ÂÀÚ (10³â ÀÌ»ó °æ·ÂÀÚ)

- GaN HEMT °³¹ß/Æò°¡ °æÇèÀÚ



0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

ä¿ë½Ã

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ ******@*******.***
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­, ÀÚÀ¯¾ç½Ä (MS ¿öµå)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

00