[글로벌 반도체 제조사]
Memory Design Engineer
모집부문 및 자격요건
| 모집부문 | 담당업무 | 자격요건 | 인원 |
|---|---|---|---|
Memory Design Engineer |
[담당업무] - 고성능 NAND 플래시 메모리의 타당성 연구 구조를 설계, 개발, 수정 및 평가 회로 평가 |
[자격요건] - 전기 공학 또는 동등한 분야의 석사 또는 학사 학위와 5년 이상의 관련 경력 - Business English - 능동적인 업무 태도 및 원활한 커뮤니케이션 능력 [우대 조건] - 메모리 설계(특히 NAND 플래시 메모리와 DDR 셀 동작)에 대한 지식 및/또는 경험자 - 빠르게 변화하는 환경 속에서 결과를 달성한 경험자 |
0 명 |
근무조건
전형단계 및 제출서류
접수방법
채용시
기타 유의사항
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