[´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼È¸»ç] 

GaN ½Å·Ú¼º/FA(Failure Analysis)

(°æ·Â)


´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

[´ã´ç¾÷¹«]

- GaN device Evaluation ¹× FA

- Wafer/PKG level DC ¹× Dynamic Æ¯¼º Æò°¡ ºÐ¼®

- Wafer/PKG level reliability setup ¹× Æò°¡


[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ÆÀ¿ø

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

- ÇзÂ: ÇлçÀÌ»ó

Power Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â 3³â ÀÌ»ó(¼®»ç), 5³â ÀÌ»ó(Çлç)

- GaN ½Å·Ú¼º Æò°¡ ¹× FA °æÇè

- GaN wafer/pkg Æò°¡ °æÇè

 

[¿ì´ë»çÇ×]
- 100~650V GaN discrete ¹× IC mask Á¦ÀÛ°æÇè

- Totem pole µî topology¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ Àü·Âº¯È¯ board ¼³°è

- GaN Epi/device ±¸Á¶ ¹× °øÁ¤ ÀÌÇØ 


[±Ù¹«Áö] ÃæºÏ À½¼º



1 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > 1Â÷¸éÁ¢ > 2Â÷¸éÁ¢ > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Á¦Ãâ¼­·ù : À̷¼­(°æ·Â»çÇ×°ú ÀÚ±â¼Ò°³¼­ Æ÷ÇÔ)

Á¢¼ö¹æ¹ý

2025³â 12¿ù 06ÀÏ ~ ä¿ë½Ã ¸¶°¨

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ(******@*******.***)
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ±¹¹®À̷¼­(MS Word ÆÄÀÏ)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

ÁÁÀº ÀÏ Ã£À» ¶©, ÀÎÅ©·çÆ®