[담당업무]

GaN물질 기반 power device 향 Epi 공정개발

및 평가

- 대면적(8") GaN on Si Epi 공정(구조, Recipe) 

  개발

- 대면적(8") GaN on Si Epi 분석 및 WBG Epi 

  특성/신뢰성 평가

- MOCVD 설비 관리/운영 및 개발 업무

- Project 및 GaN Epi 양산 PI 업무 대응

[근무부서 및 직급/직책]

직급/직책: 팀원

[자격요건]

- 학력: 학사이상

- 경력: 3년이상

- GaN on Si Epi(≥8") 개발/평가 경험

- MOCVD 관리/운영 경험(≥3년)

[우대사항]
- GaN epi 구조 및 device operation 이해

- GaN process  와  device performance 연관성 평가 경험

- Aixtron GaN MOCVD 운영경험

- Power 제품개발 경력 3년 이상(석사), 5년 이상(학사) 

[근무지] 충북 음성