[´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼È¸»ç] 

SiC Epi (°æ·Â)


´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

[´ã´ç¾÷¹«]

SiC¹°Áú ±â¹Ý power device Çâ Epi °øÁ¤ °³¹ß

¹× Æò°¡

- ´ë¸éÀû(8") SiC Epi °øÁ¤(±¸Á¶, Recipe) °³¹ß

- ´ë¸éÀû(8") SiC Epi ºÐ¼® ¹× WBG Epi Ư¼º/

  ½Å·Ú¼º Æò°¡

- MOCVD ¼³ºñ °ü¸®/¿î¿µ

- SiC °³¹ß/¾ç»ê ¹× ¼³ºñ °ü¸®/¿î¿µ ¹× 

  ¾ç»ê PI ¾÷¹« ´ëÀÀ


[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ÆÀ¿ø

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

- ÇзÂ: ÇлçÀÌ»ó

°æ·Â: 3³âÀÌ»ó

SiC Epi(¡Ã6") °³¹ß/Æò°¡ °æÇè

- SiC Epi ¿ë High temp CVD °ü¸®/¿î¿µ°æÇè(¡Ã3³â)

 

[¿ì´ë»çÇ×]
- SiC Àü·Â¼ÒÀÚ °³¹ß/Æò°¡ °æÇè

- SiC Device operation ÀÌÇØ

- SiC(8") Device operation ÀÌÇØ

- Aixtron SiC MOCVD ¿î¿µ °æÇè

- Power Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â 3³â ÀÌ»ó(¼®»ç), 5³â ÀÌ»ó(Çлç)


[±Ù¹«Áö] ÃæºÏ À½¼º



1 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > 1Â÷¸éÁ¢ > 2Â÷¸éÁ¢ > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Á¦Ãâ¼­·ù : À̷¼­(°æ·Â»çÇ×°ú ÀÚ±â¼Ò°³¼­ Æ÷ÇÔ)

Á¢¼ö¹æ¹ý

2025³â 12¿ù 06ÀÏ ~ ä¿ë½Ã ¸¶°¨

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ(******@*******.***)
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ±¹¹®À̷¼­(MS Word ÆÄÀÏ)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

ÁÁÀº ÀÏ Ã£À» ¶©, ÀÎÅ©·çÆ®