[담당업무]

GaN물질 기반 power device 향 Fab process

개발 및 평가

- 대면적(8") GaN fab process 개발 

  (신규 공정 개발 포함)

- 대면적(8") GaN fab process 관리 및

  PI(양산) 대응

[근무부서 및 직급/직책]

직급/직책: 팀원

[자격요건]

- 학력: 학사이상

- 경력: 3년이상

- Si or GaN Unit process 및 process integration 경험

- Process 와 device performance 연관성 평가 경험

- Si(≥8") Etch process 경험

[우대사항]
- GaN device design 및 평가 경험

- GaN epi 구조 및 device operation 이해

- GaN unit process set up 및 process integration

- 100~650V GaN discrete 및 IC mask  제작경험

- GaN process와 device performance 연관성 평가 경험 

[근무지] 충북 음성