GaN FA(Failure Analysis)/
                     (5³â ÀÌ»ó~ )

                 - ¹ÝµµÃ¼(ÄÚ½ºÇÇ)

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

GaN FA(Failure Analysis)/

(5³â ÀÌ»ó~ )

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýGaN device Evaluation ¹×

 FA(Failure analysis)

- Wafer/PKG level DC ¹× Dynamic Ư¼º

 Æò°¡ ºÐ¼®

- Wafer/PKG level reliability setup ¹× Æò°¡


[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

¤ý°æ·Â: Power Á¦Ç°°³¹ß 3³â ÀÌ»ó(¼®»ç), 

            5³â ÀÌ»ó(Çлç)

  - GaN ½Å·Ú¼º Æò°¡ ¹× FA °æÇè

  - GaN wafer/pkg Æò°¡ °æÇè



[¿ì´ë»çÇ×]

¤ý100~650V GaN discrete ¹× IC mask  Á¦ÀÛ°æÇè 

¤ýGaN Epi/device ±¸Á¶ ¹× °øÁ¤ ÀÌÇØ

¤ýTotem pole µî topology¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ Àü·Âº¯È¯ board

   ¼³°è  


[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷
¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/ ±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼öÇϽźи¸ 

¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-**********@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.