[´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼È¸»ç] 

SiC MOSFET(°æ·Â)


´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

[´ã´ç¾÷¹«]

- ½Å±Ô Fab °øÁ¤À» °³¹ß ¹× Process

  intergration ¾÷¹«

- Static & Dynamic Test ¹× ¼ÒÀÚÀÇ Àü±âÀû 

  Ư¼ºÀ» ÃøÁ¤/ºÐ¼®

- °³¹ß Mask¸¦ Á¦ÀÛÇϰí, TEG layout ¾÷¹«

- ¾ç»ê°³¹ß(PI) À̽´¿¡ ´ëÇØ ´ëÀÀ ¾÷¹«


[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ÆÀ¿ø

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

- ÇзÂ: ÇлçÀÌ»ó

- ÀüÀÚ/È­ÇÐ/¹°¸®/Àç·áµî ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã Àü°ø

Power Device/Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â: 3³â ÀÌ»ó

 

[¿ì´ë»çÇ×]
- Fab Process Engineering °æÇèÀÚ

- Device Physics ±³À° À̼öÀÚ


[±Ù¹«Áö] ÃæºÏ À½¼º



1 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > 1Â÷¸éÁ¢ > 2Â÷¸éÁ¢ > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Á¦Ãâ¼­·ù : À̷¼­(°æ·Â»çÇ×°ú ÀÚ±â¼Ò°³¼­ Æ÷ÇÔ)

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ(******@*******.***)
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ±¹¹®À̷¼­(MS Word ÆÄÀÏ)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

ÁÁÀº ÀÏ Ã£À» ¶©, ÀÎÅ©·çÆ®