SKŰÆÄ¿îµå¸®, SiC Customer Engineer °æ·ÂÁ÷ ä¿ë¡¦ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú ¿µ¾÷¡¤°í°´ Áö¿ø Àü¹®°¡ ¸ðÁý

SKŰÆÄ¿îµå¸®°¡ SiC(źȭ±Ô¼Ò) ºÐ¾ßÀÇ Customer Engineer(CE) °æ·ÂÁ÷ ä¿ëÀ» ÁøÇàÇÑ´Ù. À̹ø ä¿ëÀº ¿µ¾÷ Á÷¹« ºÐ¾ßÀÇ Á¤±ÔÁ÷ ÇÑ ¸íÀ» ´ë»óÀ¸·Î Çϸç, ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °æ·Â 10³â ÀÌ»óÀÇ Àü¹® ÀηÂÀ» ã°í ÀÖ¾î ÇØ´ç ºÐ¾ß °æ·ÂÀÚµéÀÇ °ü½ÉÀÌ ¸ðÀÏ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.

À̹ø ä¿ëÀ» ÅëÇØ ÇÕ·ùÇÏ°Ô µÉ ÀηÂÀº °í°´ Á¦Ç° °³¹ß Áö¿ø ¹× ±â¼ú ÀÎÅÍÆäÀ̽º ¿ªÇÒÀ» Áß½ÉÀ¸·Î, Design Guide(PIK, POR, Simulation Guide) °ü¸®¿Í Á¦Ç° °³¹ß ÀÏÁ¤(DB Out ~ 1st Sample) ¹× °³¹ß Issue ±â¼ú ÀÎÅÍÆäÀ̽º °ü¸®¸¦ ´ã´çÇÏ°Ô µÈ´Ù. ¶ÇÇÑ °³¹ß¡¤¾ç»ê Á¦Ç°ÀÇ ¼öÀ² ¹× ǰÁú °ü¸®, °³¹ß TAT °ü¸®, °í°´ Issue OTD °ü¸® µî °í°´°úÀÇ Á¢Á¡¿¡¼­ ¹ß»ýÇÏ´Â ±â¼úÀû °úÁ¦µéÀ» ½ÇÁúÀûÀ¸·Î ÇØ°áÇÏ´Â ¿ªÇÒÀ» ¸ÃÀ¸¸ç, ±â¼ú ¿µ¾÷ Áö¿ø(Promotion) ¾÷¹«µµ ÇÔ²² ¼öÇàÇÏ°Ô µÈ´Ù.

Áö¿ø ÀÚ°ÝÀº Á÷¹« °ü·Ã Àü°øÀÇ Çлç ÇÐÀ§ ÀÌ»ó ¼ÒÁöÀÚ·Î, ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °æ·Â 10³â ÀÌ»óÀÌ ¿ä±¸µÈ´Ù. ƯÈ÷ SiC MOSFET, GaN, IGBT µî WBG ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¹°¸®Àû Ư¼º°ú °íÀü¾Ð(650V~3300V) µ¿ÀÛ ¿ø¸®¿¡ ´ëÇÑ ±íÀº ÀÌÇØ¸¦ º¸À¯ÇÑ ÀÚ, SiC wafer & Epi °øÁ¤°ú ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ ¹× Process integration, SiC Ưȭ °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØ¸¦ º¸À¯ÇÑ ÀÚ, ¼³°è ToolÀÎ Cadence¡¤Synopsys µî EDA tool ¹× TCAD Simulation Ȱ¿ë ´É·Â º¸À¯ÀÚ, WBG ¹ÝµµÃ¼ Failure Analysis ¹× Mechanism ÀÌÇØ¸¦ º¸À¯ÇÑ ÀÚ¸¦ ã°í ÀÖ´Ù. ¿ì´ë»çÇ×À¸·Î´Â SiC¡¤GaN µî WBG °øÁ¤ °³¹ß °æÇèÀÚ, ÀÚµ¿Â÷¡¤¿¡³ÊÁö »ê¾÷(EV¿ë ÀιöÅÍ, AI µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ µî)¿ë Á¦Ç° °³¹ß °æÇè º¸À¯ÀÚ, ±Û·Î¹ú °í°´ ±â¼ú Áö¿ø ´ëÀÀ °æÇè º¸À¯ÀÚ, ¿µ¾î ¶Ç´Â Áß±¹¾î ¾îÇÐ ¿ª·® º¸À¯ÀÚ°¡ ÇØ´çµÈ´Ù.

À̹ø ä¿ëÀÇ ±Ù¹«Áö´Â ¼­¿ï½Ã ¼ÛÆÄ±¸ ¼ÛÆÄ´ë·Î 558 ¿ùµåŸ¿ö ºôµù 16Ãþ°ú ûÁÖ µÎ °÷À̸ç, °í¿ë ÇüÅ´ Á¤±ÔÁ÷À¸·Î ÁøÇàµÈ´Ù. Áö¿ø Á¢¼ö´Â 2026³â 6¿ù 9ÀϺÎÅÍ 6¿ù 17ÀÏ ¿ÀÈÄ 11½Ã 59ºÐ±îÁö °¡´ÉÇÏ´Ù. ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº 'SKŰÆÄ¿îµå¸®'ÀÇ È¨ÆäÀÌÁö¿¡¼­ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.