ģȯ°æÂ÷ ÇÙ½É ¼ÒÀÚ °³¹ß Á¶Á÷, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Å×½ºÆ® ¹× Verification ¿¬±¸Á÷ °æ·Â ä¿ë

¹ÝµµÃ¼»ç¾÷´ã´ç Á¶Á÷ÀÌ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Å×½ºÆ® ¹× Verification ºÐ¾ßÀÇ ¿¬±¸Á÷ °æ·Â ä¿ëÀ» ÁøÇàÇÑ´Ù. ÀÌ Á¶Á÷Àº ģȯ°æÂ÷ Àü·Âº¯È¯½Ã½ºÅÛÀÇ ÇÙ½É ¼ÒÀÚÀÎ Àü·Â¹ÝµµÃ¼¸¦ °³¹ßÇÏ´Â ¿ªÇÒÀ» ¼öÇàÇϸç, Àü±â¡¤ÀüÀÚ°øÇÐ ¹× ¹ÝµµÃ¼°øÇÐ Àü°øÀÚ¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î ¹°¸®¡¤Àç·á µî ´Ù¾çÇÑ Àü°ø ¹è°æÀÇ ±¸¼º¿øµéÀÌ ÇÔ²² ½Ã³ÊÁö¸¦ ³»°í ÀÖ´Ù. ģȯ°æÂ÷ »ê¾÷ÀÇ ¼ºÀå°ú ÇÔ²² Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸ ¹× °³¹ß Àη ¼ö¿ä°¡ ºü¸£°Ô ´Ã¾î³ª´Â È帧 ¼Ó¿¡¼­ À̹ø ä¿ëÀÌ ÀÌ·ç¾îÁ³´Ù.

À̹ø¿¡ ä¿ëµÇ´Â ÀηÂÀº SiC MOSFET, IGBT µî Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Æò°¡¸¦ ºñ·ÔÇØ ¼ÒÀÚ ±¸Á¶ ºÐ¼®, ¿þÀÌÆÛ·¹º§ Ư¼º Æò°¡, discrete/module ·¹º§ Ư¼º Æò°¡, ¼ÒÀÚ Æò°¡ ȯ°æ ±¸Ãà, ±×¸®°í ½Å·Ú¼º Æò°¡ ¾÷¹«¸¦ ´ã´çÇÏ°Ô µÈ´Ù. ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÀ» ´Ù¾çÇÑ ·¹º§¿¡¼­ ü°èÀûÀ¸·Î °ËÁõÇϰí, Æò°¡¿¡ ÇÊ¿äÇÑ È¯°æÀ» Á÷Á¢ ±¸¼ºÇÏ´Â ¿ªÇÒ±îÁö Æ÷ÇԵǾî ÀÖ¾î Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °³¹ß Àü¹Ý¿¡ °ÉÄ£ ½ÇÁúÀûÀÎ ¾÷¹«¸¦ °æÇèÇÏ°Ô µÈ´Ù.

Áö¿ø ÀÚ°ÝÀº ÇØ´ç ºÐ¾ß 5³â ÀÌ»óÀÇ °æ·ÂÀÚ¸¦ ±âÁØÀ¸·Î Çϸç, ¼®»ç Á¹¾÷ÀÚÀÇ °æ¿ì 3³â ÀÌ»óÀÇ °æ·ÂÀÌ ÀÖÀ¸¸é Áö¿øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ÇзÂÀº ´ëÁ¹ ÀÌ»óÀÌ ¿ä±¸µÈ´Ù. ¿ì´ë»çÇ×À¸·Î´Â Àü±âÀüÀÚ¡¤¹ÝµµÃ¼¡¤Àç·á°øÇÐ °ü·Ã Àü°øÀÚ, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Æ¯¼º Æò°¡ °æÇè ¹× °ü·Ã Áö½Ä º¸À¯ÀÚ, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ½Å·Ú¼º Æò°¡ °æÇè ¹× °ü·Ã Áö½Ä º¸À¯ÀÚ, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ºÒ·® ºÐ¼® °æÇè ¹× °ü·Ã Áö½Ä º¸À¯ÀÚ, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ Ư¼º Æò°¡ ¹× ǰÁú °ü¸® °æÇè º¸À¯ÀÚ, Â÷·®¿ë ÀιöÅÍ ¼³°è ¹× Æò°¡ °æÇè º¸À¯ÀÚ¸¦ ¸í½ÃÇϰí ÀÖ´Ù.

±Ù¹«Áö´Â °­³²¿¬±¸¼ÒÀ̸ç, ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº ÇØ´ç ±â¾÷ÀÇ Ã¤¿ë ȨÆäÀÌÁö¿¡¼­ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.